继美光之后，SK海力士完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发，容量512Gb（64GB），TLC。
SK海力士表示，闪存单元采用ctf（电荷捕获）结构，并集成了puc技术。
4d闪存是SK海力士说的，这次的176层被称为第三代，每个晶片可以切割更多的闪存硅存储器。
不仅容量提升了35%，闪存设备的读取速度也提升了20%，通过加速技术，传输速度达到了33~1.6 gbps。
SK海力士预计相关产品将在明年年中发布，目前主控厂商已经在测试样品，预计会在手机闪存领域首发，目标是70%的的读速提升和35%的写速提升，后面还会应用到消费级SSD和企业产品上。
同时，SK海力士表示正在开发1Tb（128GB）容量的176层4D闪存。
显然，未来手机可以在更紧凑的空间内打造大容量ROM空间。
